Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFR121
Изображение служит лишь для справки
IRFR121
-
Harris Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 2613
- 1+： $0.35994
- 10+： $0.33957
- 100+： $0.32035
- 500+： $0.30221
- 1000+： $0.28511
Zwischensummenbetrag $0.35994
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вид крепления：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：TO-252-3 (DPAK)
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Harris Corporation
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Максимальная мощность рассеяния：-
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：-
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8.4A
- РХОС：Non-Compliant
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRFR121
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.37
- Максимальный ток утечки (ID)：8.4 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：-
- Втс(th) (Макс) @ Id：-
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
- Угол настройки (макс.)：-
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.27 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：34 A
- Минимальная напряжённость разрушения：80 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：36 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2613
- 1+： $0.35994
- 10+： $0.33957
- 100+： $0.32035
- 500+： $0.30221
- 1000+： $0.28511
Итого $0.35994
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты