Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTD6N40T4
Изображение служит лишь для справки
NTD6N40T4
- onsemi
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 4992
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Состояние продукта:Active
- Пакет:Bulk
- Mfr:onsemi
- РХОС:Compliant
- Описание пакета:DPAK-3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:NTD6N40T4
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.21
- Максимальный ток утечки (ID):6 A
- Серия:*
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss):400 V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):6 A
- Сопротивление открытого канала-макс:1.1 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:21 A
- Минимальная напряжённость разрушения:400 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):180 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 4992
Итого $0.00000