STWA30N65DM6AG

Name: STMicroelectronics STWA30N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.6 (5 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3
MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Date Sheet

Lagernummer 561

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-247-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-247 Long Leads
Основной номер продукта：STWA30
Максимальная мощность рассеяния：284W (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28A (Tc)
Состояние продукта：Active
Пакет：Tube
Mfr：STMicroelectronics
Прямоходящий ток вывода Id：28
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Время типичного задержки включения：18 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.75 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：284 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 25 V, + 25 V
Вес единицы：0.211644 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：600
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：STMicroelectronics
Бренд：STMicroelectronics
Зарядная характеристика ворот：46 nC
Торговое наименование：MDmesh
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：110 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：46 ns
Id - Непрерывный ток разряда：28 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：Automotive, AEC-Q101
Пакетирование：Tube
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：284
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：110mOhm @ 14A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.75V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2000 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：46 nC @ 10 V
Время подъема：21 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±25V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N - Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 561

Итого $0.00000