Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IMBF170R650M1XTMA1
Изображение служит лишь для справки
IMBF170R650M1XTMA1
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
- Date Sheet
Lagernummer 678
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Поставщик упаковки устройства:PG-TO263-7-13
- Mfr:Infineon Technologies
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:7.4A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V, 15V
- Максимальная мощность рассеяния:88W (Tc)
- Основной номер продукта:IMBF170
- Прямоходящий ток вывода Id:7.4
- Режим канала:Enhancement
- Формат упаковки:TO-263-7
- Число элементов на чипе:1
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1.7 kV
- Время типичного задержки включения:22 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4.5 V
- Распад мощности:88 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 10 V, + 20 V
- Вес единицы:0.056438 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс:0.65 S
- Партийные обозначения:IMBF170R650M1 SP002739686
- Производитель:Infineon
- Бренд:Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот:8 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:650 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:24 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:7.4 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Число контактов:7
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:88
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:650mOhm @ 1.5A, 15V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5.7V @ 1.7mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:422 pF @ 1000 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:8 nC @ 12 V
- Время подъема:16 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):1700 V
- Угол настройки (макс.):+20V, -10V
- Тип продукта:MOSFET
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 678
Итого $0.00000