NTE491

Name: NTE Electronics, Inc NTE491
Brand: NTE Electronics, Inc
Rating: 4.5 (11 reviews)

NTE Electronics, Inc
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92
Date Sheet

Lagernummer 407

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-92
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：NTE Electronics, Inc
Пакет：Bag
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：350mW (Ta)
Артикул Производителя：NTE491
Производитель：NTE Electronics
Непрерывный ток стока：0.2(A)
Дrain-Source On-Volt：60(V)
Классификация Температурной Выносливости：Military
Формат упаковки：TO-92
Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
Допустимый напряжений на затвор-исток：±20(V)
Режим канала：Enhancement
Количество элементов：1
Квантовозащитный：No
Монтаж：Through Hole
Описание пакета：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Форма упаковки：ROUND
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
Ранг риска：2.14
Максимальный ток утечки (ID)：0.2 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Код ECCN：EAR99
Тип：Small Signal
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：O-PBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：N
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：0.35(W)
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5Ohm @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50 pF @ 25 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：5 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：-
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：25 pF

Со склада 407

Итого $0.00000