Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUZ101SL
Изображение служит лишь для справки
BUZ101SL
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 15623
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:PG-TO220-3-1
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальная мощность рассеяния:55W (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:20A (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакет:Bulk
- Mfr:Infineon Technologies
- Описание пакета:PLASTIC, TO-220, 3 PIN
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя:BUZ101SL
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.31
- Код упаковки компонента:TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID):20 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:40mOhm @ 14A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 40μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:700 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:36 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):55 V
- Угол настройки (макс.):±14V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.07 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:80 A
- Минимальная напряжённость разрушения:55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):90 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:-
Со склада 15623
Итого $0.00000