Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK2084L-E
Изображение служит лишь для справки
2SK2084L-E
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 827
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Форма упаковки：IN-LINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：2SK2084L-E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.14
- Максимальный ток утечки (ID)：7 A
- Серия：*
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN BISMUTH
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：7 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.075 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：28 A
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：20 W
Со склада 827
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты