UF3C120150K4S

Name: UnitedSiC UF3C120150K4S
Brand: UnitedSiC
Rating: 4.5 (14 reviews)

UnitedSiC
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-4
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Date Sheet

Lagernummer 403

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-4
Поставщик упаковки устройства：TO-247-4
Mfr：UnitedSiC
Пакет：Tube
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：12V
Максимальная мощность рассеяния：166.7W (Tc)
Основной номер продукта：UF3C120150
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
Время типичного задержки включения：21 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：166.7 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 25 V, + 25 V
Вес единицы：0.211644 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：30
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：UnitedSiC
Бренд：UnitedSiC
Зарядная характеристика ворот：25.7 nC
Торговое наименование：SiC FET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：330 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：26 ns
Id - Непрерывный ток разряда：18.4 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Tube
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：180mOhm @ 5A, 12V
Втс(th) (Макс) @ Id：5.5V @ 10mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：738 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25.7 nC @ 12 V
Время подъема：8 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
Угол настройки (макс.)：±25V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 403

Итого $0.00000