Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK4202-S19-AY
Изображение служит лишь для справки
2SK4202-S19-AY
- Renesas Electronics America Inc
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 8037
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Mfr:Renesas Electronics America Inc
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:2SK4202-S19-AY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NEC Electronics Group
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NEC ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:5.39
- Код упаковки компонента:TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID):84 A
- Серия:*
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0075 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:240 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):137 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 8037
Итого $0.00000