Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTMKE4890NT1G
Изображение служит лишь для справки
NTMKE4890NT1G
- onsemi
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 25228
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Mfr:onsemi
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Active
- Прямоходящий ток вывода Id:155
- Описание пакета:6.30 X 4.90 MM, LEAD FREE, CASE 145AB-01, ICEPAK-3
- Форма упаковки:CHIP CARRIER
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Код упаковки производителя:CASE 145AB-01
- Артикул Производителя:NTMKE4890NT1G
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.37
- Максимальный ток утечки (ID):30 A
- Серия:*
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:NO LEAD
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-XBCC-N3
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.00245 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:237 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Канальный тип:N
- Рейтинг энергии лавины (Eas):505 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 25228
Итого $0.00000