Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UF3C170400K3S
Изображение служит лишь для справки
UF3C170400K3S
- UnitedSiC
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
- Date Sheet
Lagernummer 83
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-247-3
- Mfr:UnitedSiC
- Пакет:Tube
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:7.6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V
- Максимальная мощность рассеяния:100W (Tc)
- Основной номер продукта:UF3C170400
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1.7 kV
- Время типичного задержки включения:17 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:6 V
- Квалификация:AEC-Q101
- Распад мощности:100 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 25 V, + 25 V
- Вес единицы:0.211644 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:600
- Монтажные варианты:Through Hole
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:UnitedSiC
- Бренд:UnitedSiC
- Зарядная характеристика ворот:27.5 nC
- Торговое наименование:SiC FET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.07 Ohms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:34 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:7.6 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Tube
- Подкатегория:MOSFETs
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:515mOhm @ 5A, 12V
- Втс(th) (Макс) @ Id:6V @ 10mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:740 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:27.5 nC @ 15 V
- Время подъема:13 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):1700 V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 83
Итого $0.00000