IRF610B

Name: Fairchild Semiconductor IRF610B
Brand: Fairchild Semiconductor
Rating: 4.8 (15 reviews)

Fairchild Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 3625

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-220
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Fairchild Semiconductor
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：38W (Tc)
Описание пакета：TO-220, 3 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：No
Артикул Производителя：IRF610B
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Rochester Electronics LLC
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.22
Код упаковки компонента：SFM
Максимальный ток утечки (ID)：3.3 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：225 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.3 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：200 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-220
Сопротивление открытого канала-макс：1.5 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：10 A
Минимальная напряжённость разрушения：200 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：40 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：-

Со склада 3625

Итого $0.00000