Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB80P04P4L04ATMA2
Изображение служит лишь для справки
IPB80P04P4L04ATMA2
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
- Date Sheet
Lagernummer 796
- 1+: $3.29166
- 10+: $3.10534
- 100+: $2.92957
- 500+: $2.76374
- 1000+: $2.60730
Zwischensummenbetrag $3.29166
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства:PG-TO263-3-2
- Mfr:Infineon Technologies
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:80A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:125W (Tc)
- Основной номер продукта:IPB80P
- Прямоходящий ток вывода Id:80
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:AEC-Q101
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Время типичного задержки включения:28 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.7 V
- Распад мощности:125 W
- Полярность транзистора:P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 16 V, + 5 V
- Вес единицы:0.011425 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:IPB80P04P4L-04 SP002325756
- Производитель:Infineon
- Бренд:Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот:135 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:5.6 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:119 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:80 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:MOSFETs
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:125
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4.7mOhm @ 80A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:11570 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:176 nC @ 10 V
- Время подъема:13 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Угол настройки (макс.):+5V, -16V
- Тип продукта:MOSFET
- Канальный тип:P Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 796
- 1+: $3.29166
- 10+: $3.10534
- 100+: $2.92957
- 500+: $2.76374
- 1000+: $2.60730
Итого $3.29166