Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK1420
Изображение служит лишь для справки
2SK1420
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 6800
- 1+： $1.29499
- 10+： $1.22169
- 100+： $1.15254
- 500+： $1.08730
- 1000+： $1.02576
Zwischensummenbetrag $1.29499
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：onsemi
- Состояние продукта：Active
- Пакет：Bulk
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：2SK1420
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：SANYO Electric Co Ltd
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SANYO ELECTRIC CO LTD
- Ранг риска：5.83
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID)：25 A
- Серия：*
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：25 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.045 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：100 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：30 W
Со склада 6800
- 1+： $1.29499
- 10+： $1.22169
- 100+： $1.15254
- 500+： $1.08730
- 1000+： $1.02576
Итого $1.29499
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты