IRFR421

Name: Harris Corporation IRFR421
Brand: Harris Corporation
Rating: 4.5 (19 reviews)

Harris Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 1032

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：TO-252, (D-Pak)
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Harris Corporation
Состояние продукта：Active
Пакет：Bulk
Максимальная мощность рассеяния：50W (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.5A (Tc)
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：No
Артикул Производителя：IRFR421
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Rochester Electronics LLC
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.38
Максимальный ток утечки (ID)：2.5 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3Ohm @ 1.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：350 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：450 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-252AA
Сопротивление открытого канала-макс：3 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：8 A
Минимальная напряжённость разрушения：450 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：210 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：-

Со склада 1032

Итого $0.00000