Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUZ41A
Изображение служит лишь для справки
BUZ41A
- Harris Corporation
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 6882
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:TO-220AB
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Mfr:Harris Corporation
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4.5A (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакет:Bulk
- Максимальная мощность рассеяния:75W (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности:NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:BUZ41A
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.13
- Максимальный ток утечки (ID):4.5 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.5Ohm @ 2.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2000 pF @ 25 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):500 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:1.5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:18 A
- Минимальная напряжённость разрушения:500 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:-
Со склада 6882
Итого $0.00000