Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 831

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Поставщик упаковки устройства:I-PAK
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Mfr:Harris Corporation
  • Пакет:Bulk
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:2.5A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
  • Максимальная мощность рассеяния:50W (Tc)
  • Форма упаковки:IN-LINE
  • Уровни чувствительности к влажности:NOT SPECIFIED
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:IRFU421
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Rochester Electronics LLC
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
  • Ранг риска:5.39
  • Максимальный ток утечки (ID):2.5 A
  • Серия:-
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:R-PSIP-T3
  • Квалификационный Статус:COMMERCIAL
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3Ohm @ 1.3A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:350 pF @ 25 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:19 nC @ 10 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):450 V
  • Угол настройки (макс.):±20V
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-251AA
  • Сопротивление открытого канала-макс:3 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:8 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:450 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):210 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Характеристика ТРП:-

Со склада 831

Итого $0.00000