(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK1337TZ-E
Изображение служит лишь для справки
2SK1337TZ-E
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 11271
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：2SK1337TZ-E
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.64
- Код упаковки компонента：TO-92
- Максимальный ток утечки (ID)：0.3 A
- Серия：*
- Код JESD-609：e6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN BISMUTH
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：O-PBCY-W3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-92
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.3 A
- Сопротивление открытого канала-макс：6.5 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.4 W
Со склада 11271
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
