(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные XK1R9F10QB,LXGQ
Изображение служит лишь для справки
XK1R9F10QB,LXGQ
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Date Sheet
Lagernummer 3512
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：TO-220SM(W)
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：160A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：375W (Tc)
- Основной номер продукта：XK1R9F10
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Чувствительный к влажности：Yes
- Время типичного задержки включения：112 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
- Квалификация：AEC-Q101
- Распад мощности：375 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.037743 oz
- Минимальная температура работы：-
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：XK1R9F10QB,LXGQ(O
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Зарядная характеристика ворот：184 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.92 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：214 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：160 A
- Серия：U-MOSX-H
- Рабочая температура：175°C
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.92mOhm @ 80A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：11500 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：184 nC @ 10 V
- Время подъема：58 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3512
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
