(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RFW2N06RLE
Изображение служит лишь для справки
RFW2N06RLE
-
Harris Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 766
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：4-DIP (0.300", 7.62mm)
- Поставщик упаковки устройства：4-DIP, Hexdip
- Mfr：Harris Corporation
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
- Максимальная мощность рассеяния：1.09W (Tc)
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：200mOhm @ 2A, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：535 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：30 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：+10V, -5V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 766
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
