(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB120P04P4L03ATMA2
Изображение служит лишь для справки
IPB120P04P4L03ATMA2
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Date Sheet
Lagernummer 387
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-3-2
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：136W (Tc)
- Основной номер продукта：IPB120
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：D2PAK (TO-263)
- Режим канала：Enhancement
- Квалификация：AEC-Q101
- Прямоходящий ток вывода Id：120A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Время типичного задержки включения：21 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Распад мощности：136 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 16 V, + 5 V
- Вес единицы：0.011425 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Партийные обозначения：IPB120P04P4L-03 SP002325760
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：180 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：85 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：120 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：3
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：136W
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.4mOhm @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 340μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：15000 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：234 nC @ 10 V
- Время подъема：16 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：+5V, -16V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 P-Channel
- Канальный тип：P
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 387
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
