NVTFS6H860NLTAG

Name: onsemi NVTFS6H860NLTAG
Brand: onsemi
Rating: 4.5 (8 reviews)

onsemi
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerWDFN
MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Date Sheet

Lagernummer 2520

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：8-WDFN (3.3x3.3)
Основной номер продукта：NVTFS6
Максимальная мощность рассеяния：3.1W (Ta), 42W (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8.1A (Ta), 30A (Tc)
Состояние продукта：Active
Mfr：onsemi
Прямоходящий ток вывода Id：30
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：42 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：onsemi
Бренд：onsemi
Зарядная характеристика ворот：12 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：20 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：30 A
MSL：MSL 1 - Unlimited
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Серия：Automotive, AEC-Q101
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：42
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：20mOhm @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 30μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：610 pF @ 40 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 2520

Итого $0.00000