(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BB502CBS-TL-H
Изображение служит лишь для справки
BB502CBS-TL-H
Lagernummer 48040
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Obsolete
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BB502CBS-TL-H
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.71
- Код упаковки компонента：SC-82
- Максимальный ток утечки (ID)：0.02 A
- Серия：*
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：DUAL GATE, DEPLETION MODE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.02 A
- Минимальная напряжённость разрушения：6 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.1 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：0.05 pF
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Уголок мощности-минимум (Гп)：17 dB
Со склада 48040
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
