(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные XP261N70023R-G
Изображение служит лишь для справки
XP261N70023R-G
-
Torex Semiconductor Ltd
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-70, SOT-323
- MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Date Sheet
Lagernummer 5809
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
- Поставщик упаковки устройства：SOT-323-3A
- Mfr：Torex Semiconductor Ltd
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：150mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：350mW (Ta)
- Основной номер продукта：XP261
- Прямоходящий ток вывода Id：150
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：9 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：900 mV
- Распад мощности：350 mW
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.000212 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Torex Semiconductor
- Бренд：Torex Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：380 pC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：5 Ohms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：30 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：150 mA
- Описание пакета：,
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：XP261N70023R-G
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOREX SEMICONDUCTOR LTD
- Ранг риска：1.76
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Код соответствия REACH：unknown
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：350
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5Ohm @ 100mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：18 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.38 nC @ 10 V
- Время подъема：4 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 5809
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
