(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные XPN7R104NC,L1XHQ
Изображение служит лишь для справки
XPN7R104NC,L1XHQ
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Date Sheet
Lagernummer 8899
- 1+： $0.92888
- 10+： $0.87630
- 100+： $0.82670
- 500+： $0.77991
- 1000+： $0.73576
Zwischensummenbetrag $0.92888
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：840mW (Ta), 65W (Tc)
- Основной номер продукта：XPN7R104
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Время типичного задержки включения：14 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Квалификация：AEC-Q101
- Распад мощности：65 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.000705 oz
- Минимальная температура работы：-
- Пакетная партия производителя：5000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：XPN7R104NC,L1XHQ(O
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Зарядная характеристика ворот：21 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7.1 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：35 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：20 A
- Серия：U-MOSIII
- Рабочая температура：175°C
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.1mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 200μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1290 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：21 nC @ 10 V
- Время подъема：5.5 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 8899
- 1+： $0.92888
- 10+： $0.87630
- 100+： $0.82670
- 500+： $0.77991
- 1000+： $0.73576
Итого $0.92888
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
