Изображение служит лишь для справки
HM3-6508B-9
- Harris Corporation
- Память
- 16-DIP (0.300", 7.62mm)
- 1024 X 1 CMOS RAM
- Date Sheet
Lagernummer 234
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:16-DIP (0.300", 7.62mm)
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:16-PDIP
- Количество терминалов:16
- Mfr:Harris Corporation
- Пакет:Bulk
- Типы памяти:Volatile
- Состояние продукта:Active
- Основной номер продукта:HM3-6508
- Описание пакета:,
- Форма упаковки:IN-LINE
- Количество кодовых слов:1000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Время доступа-максимум:180 ns
- Температура работы-Макс:85 °C
- Артикул Производителя:HM3-6508B-9
- Количество слов:1024 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):5 V
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.55
- Серия:-
- Рабочая температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.41
- Напряжение - Питание:4.5V ~ 5.5V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Количество функций:1
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDIP-T16
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5 V
- Градация температуры:INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):4.5 V
- Размер памяти:1Kbit
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Время доступа:180 ns
- Формат памяти:SRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Организация:1KX1
- Ширина памяти:1
- Время цикла записи - слово, страница:280ns
- Плотность памяти:1024 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип микросхемы памяти:STANDARD SRAM
- Организация памяти:1K x 1
Со склада 234
Итого $0.00000