(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVH4L160N120SC1
Изображение служит лишь для справки
NVH4L160N120SC1
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-4
- SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Date Sheet
Lagernummer 247
- 1+： $6.78100
- 10+： $6.39717
- 100+： $6.03506
- 500+： $5.69346
- 1000+： $5.37119
Zwischensummenbetrag $6.78100
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-4
- Поставщик упаковки устройства：TO-247-4L
- Mfr：onsemi
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17.3A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：20V
- Максимальная мощность рассеяния：111W (Tc)
- Основной номер продукта：NVH4L160
- Прямоходящий ток вывода Id：17.3
- Непрерывный ток стока：17.3(A)
- Дrain-Source On-Volt：1200(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：TO-247
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 175C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：25(V)
- Режим канала：Enhancement
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Through Hole
- Число элементов на чипе：1
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.3 V
- Распад мощности：111 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 15 V, + 25 V
- Вес единицы：0.211644 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：450
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：onsemi
- Бренд：onsemi
- Зарядная характеристика ворот：34 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：224 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：17.3 A
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Rail/Tube
- Тип：Power MOSFET
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：4 +Tab
- Направленность：N
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：111
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：224mOhm @ 12A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.3V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：665 pF @ 800 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：34 nC @ 20 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
- Угол настройки (макс.)：+25V, -15V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 247
- 1+： $6.78100
- 10+： $6.39717
- 100+： $6.03506
- 500+： $5.69346
- 1000+： $5.37119
Итого $6.78100
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
