Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FS50UM-3
Изображение служит лишь для справки
FS50UM-3
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- -
- 50A, 150V, N-CHANNEL MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 4992
- 1+： $4.12966
- 10+： $3.89591
- 100+： $3.67539
- 500+： $3.46735
- 1000+： $3.27108
Zwischensummenbetrag $4.12966
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：FS50UM-3
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.33
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID)：50 A
- Серия：*
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.031 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：200 A
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 4992
- 1+： $4.12966
- 10+： $3.89591
- 100+： $3.67539
- 500+： $3.46735
- 1000+： $3.27108
Итого $4.12966
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты