2SAR586D3FRATL

Name: Rohm Semiconductor 2SAR586D3FRATL
Brand: Rohm Semiconductor
Rating: 5 (9 reviews)

Rohm Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TRANS PNP 80V 5A TO252
Date Sheet

Lagernummer 952

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поставщик упаковки устройства：TO-252
Mfr：Rohm Semiconductor
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
Основной номер продукта：2SAR586
Эмиттер-основное напряжение：6(V)
Классификация Температурной Выносливости：Military
Формат упаковки：DPAK
Полярность транзистора：PNP
Токовая напряжение коллектора-эммитера：80(V)
Категория：Bipolar Power
Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
Коллекторный ток (постоянный)：5(A)
Количество элементов：1
Квантовозащитный：No
Уголок постоянного тока：120@500MA@3V
Монтаж：Surface Mount
Квалификация：AEC-Q101
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Распад мощности：10 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：120
Минимальная температура работы：-
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Параметр частотно-уровневого продукта fT：200 MHz
Производитель：ROHM Semiconductor
Бренд：ROHM Semiconductor
Максимальный постоянный ток сбора：5 A
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：390
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：2SAR586D3FRATL
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROHM CO LTD
Ранг риска：1.61
Серия：Automotive, AEC-Q101
Рабочая температура：150°C (TJ)
Пакетирование：Tape and Reel
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Код соответствия REACH：compliant
Частота：200(MHz)
Число контактов：2 +Tab
Конфигурация：Single
Распад мощности：10(W)
Выводная мощность：Not Required(W)
Мощность - Макс：10 W
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 500mA, 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：320mV @ 100mA, 2A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота перехода：200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
Прямоходящий ток коллектора：5A
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 952

Итого $0.00000