BCX19HZGT116

Name: Rohm Semiconductor BCX19HZGT116
Brand: Rohm Semiconductor
Rating: 4.5 (10 reviews)

Rohm Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS NPN 45V 0.5A SST3
Date Sheet

Lagernummer 1342

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：SST3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Rohm Semiconductor
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：500 mA
Основной номер продукта：BCX19
Эмиттер-основное напряжение：5(V)
Классификация Температурной Выносливости：Military
Формат упаковки：SOT-23
Полярность транзистора：NPN
Категория：Bipolar Small Signal
Диапазон рабочей температуры：-65C to 150C
Коллекторный ток (постоянный)：0.5(A)
Количество элементов：1
Квантовозащитный：No
Уголок постоянного тока：100
Монтаж：Surface Mount
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：AEC-Q101
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Распад мощности：425 mW
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：100
Минимальная температура работы：-
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Параметр частотно-уровневого продукта fT：250 MHz
Партийные обозначения：BCX19HZG
Производитель：ROHM Semiconductor
Бренд：ROHM Semiconductor
Максимальный постоянный ток сбора：500 mA
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：600
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：45 V
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
Артикул Производителя：BCX19HZGT116
Форма упаковки：RECTANGULAR
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROHM CO LTD
Ранг риска：1.56
Серия：Automotive, AEC-Q101
Рабочая температура：150°C (TJ)
Пакетирование：Tape and Reel
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Частота：250(MHz)
Число контактов：3
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Конфигурация：Single
Распад мощности：0.425(W)
Выводная мощность：Not Required(W)
Мощность - Макс：200 mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 100mA, 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：620mV @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：45 V
Частота перехода：250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
Максимальный ток коллектора (IC)：0.5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
Прямоходящий ток коллектора：500mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：45 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 1342

Итого $0.00000