Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM120AM02CT6LIAG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM120AM02CT6LIAG
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
- Date Sheet
Lagernummer 521
- 1+: $1273.78121
- 10+: $1201.68039
- 100+: $1133.66074
- 500+: $1069.49127
- 1000+: $1008.95403
Zwischensummenbetrag $1273.78121
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Поставщик упаковки устройства:SP6C LI
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Tube
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:947A (Tc)
- Основной номер продукта:MSCSM120
- Прямоходящий ток вывода Id:947
- Обратное напряжение:1200 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1200 V
- Время типичного задержки включения:56 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.8 V
- Распад мощности:3.75 kW
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 125 C
- Усв:- 10 V, + 25 V
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology / Atmel
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:2.6 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:166 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:947 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Тип:Phase Leg
- Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
- Технология:SiC
- Конфигурация:Dual
- Распад мощности:3.75
- Мощность - Макс:3.75kW (Tc)
- Тип ТРВ:2 N Channel (Phase Leg)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.6mOhm @ 480A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.8V @ 12mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:36240pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2784nC @ 20V
- Время подъема:55 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):1200V (1.2kV)
- Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Канальный тип:Dual N
- Характеристика ТРП:Silicon Carbide (SiC)
- Продукт:Power MOSFET Modules
- Вф - Напряжение прямого тока:1.5 V
- Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
Со склада 521
- 1+: $1273.78121
- 10+: $1201.68039
- 100+: $1133.66074
- 500+: $1069.49127
- 1000+: $1008.95403
Итого $1273.78121