Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 1127

  • 1+: $1.45467
  • 10+: $1.37233
  • 100+: $1.29465
  • 500+: $1.22137
  • 1000+: $1.15223

Zwischensummenbetrag $1.45467

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Поставщик упаковки устройства:8-SOIC
  • Mfr:Vishay Siliconix
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:5A (Tc)
  • Основной номер продукта:SQ4937
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
  • Время типичного задержки включения:6 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
  • Распад мощности:3.3 W
  • Полярность транзистора:P-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 175 C
  • Усв:- 20 V, + 20 V
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:2500
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Режим канала:Enhancement
  • Партийные обозначения:SQ4937EY-T1_GE3
  • Производитель:Vishay
  • Бренд:Vishay Semiconductors
  • Зарядная характеристика ворот:15 nC
  • Торговое наименование:TrenchFET
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:56 mOhms, 56 mOhms
  • РХОС:Details
  • Время задержки отключения типичного:15 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:5 A
  • Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Пакетирование:Cut Tape
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Каналов количество:2 Channel
  • Мощность - Макс:3.3W (Tc)
  • Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:75mOhm @ 3.9A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:480pF @ 25V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:15nC @ 10V
  • Время подъема:8 ns
  • Напряжение стока-исток (Vdss):30V
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:2 P-Channel
  • Характеристика ТРП:Standard
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 1127

  • 1+: $1.45467
  • 10+: $1.37233
  • 100+: $1.29465
  • 500+: $1.22137
  • 1000+: $1.15223

Итого $1.45467