Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCM20XM10T3XG
Изображение служит лишь для справки






MSCM20XM10T3XG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-OTHER-SP3X
Date Sheet
Lagernummer 2365
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Поставщик упаковки устройства:SP3X
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:108A (Tc)
- Основной номер продукта:MSCM20
- Обратное напряжение:200 V
- Максимальная рабочая температура:+ 125 C
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Пакетная партия производителя:1
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology / Atmel
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:10 mOhms
- РХОС:Details
- Серия:-
- Рабочая температура:-40°C ~ 125°C (Tc)
- Пакетирование:Tube
- Тип:Three Phase
- Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
- Технология:Si
- Конфигурация:3-Phase Bridge
- Мощность - Макс:341W (Tc)
- Тип ТРВ:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:9.7mOhm @ 81A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:10700pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:161nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):200V
- Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП:Standard
- Продукт:Power MOSFET Modules
- Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
Со склада 2365
Итого $0.00000