Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM120AM042CD3AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM120AM042CD3AG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
Date Sheet
Lagernummer 689
- 1+： $764.96661
- 10+： $721.66662
- 100+： $680.81756
- 500+： $642.28072
- 1000+： $605.92521
Zwischensummenbetrag $764.96661
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：D3
- Mfr：Microchip Technology
- Пакет：Box
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：495A (Tc)
- Основной номер продукта：MSCSM120
- Прямоходящий ток вывода Id：495
- Обратное напряжение：1200 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1200 V
- Время типичного задержки включения：56 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.8 V
- Распад мощности：2031 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 125 C
- Усв：- 10 V, + 25 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Screw Mounts
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology / Atmel
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：5.2 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：166 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：495 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Bulk
- Тип：Phase Leg
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：SiC
- Распад мощности：2.031
- Мощность - Макс：2.031kW (Tc)
- Тип ТРВ：2 N Channel (Phase Leg)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.2mOhm @ 240A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 6mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：18.1pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1392nC @ 20V
- Время подъема：55 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Канальный тип：Dual N Channel
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Продукт：Power MOSFET Modules
- Вф - Напряжение прямого тока：1.5 V at 180 A
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 689
- 1+： $764.96661
- 10+： $721.66662
- 100+： $680.81756
- 500+： $642.28072
- 1000+： $605.92521
Итого $764.96661
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты