Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFF9231
Изображение служит лишь для справки
IRFF9231
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-205AF Metal Can
- MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Date Sheet
Lagernummer 872
- 1+： $3.34001
- 10+： $3.15095
- 100+： $2.97260
- 500+： $2.80434
- 1000+： $2.64560
Zwischensummenbetrag $3.34001
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-205AF Metal Can
- Surface Mount：NO
- Supplier Device Package：TO-205AF (TO-39)
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Mfr：International Rectifier
- Package：Bulk
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A (Tc)
- Power Dissipation (Max)：25W
- RoHS：Non-Compliant
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Manufacturer Part Number：IRFF9231
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.39
- Drain Current-Max (ID)：4 A
- Series：-
- Operating Temperature：-
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：WIRE
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：O-MBCY-W3
- Qualification Status：COMMERCIAL
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：-
- Vgs(th) (Max) @ Id：-
- Drain to Source Voltage (Vdss)：150 V
- Vgs (Max)：-
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-205AF
- Drain-source On Resistance-Max：0.8 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：16 A
- DS Breakdown Voltage-Min：150 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：-
Со склада 872
- 1+： $3.34001
- 10+： $3.15095
- 100+： $2.97260
- 500+： $2.80434
- 1000+： $2.64560
Итого $3.34001
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты