Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NP30N04QUK-E1-AY
Изображение служит лишь для справки
NP30N04QUK-E1-AY
- Renesas Electronics America Inc
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerLDFN
- POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS 8P HSO
- Date Sheet
Lagernummer 5036
- 1+: $2.11776
- 10+: $1.99788
- 100+: $1.88480
- 500+: $1.77811
- 1000+: $1.67746
Zwischensummenbetrag $2.11776
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerLDFN
- Поставщик упаковки устройства:8-HSON (5x5.4)
- Mfr:Renesas Electronics America Inc
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:30A (Tc)
- Основной номер продукта:NP30N04
- Пакетная партия производителя:2500
- Производитель:Renesas Electronics
- Бренд:Renesas Electronics
- РХОС:Details
- Описание пакета:,
- Код упаковки производителя:PLSN0008DA-A8
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Артикул Производителя:NP30N04QUK-E1-AY
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:5.7
- Код упаковки компонента:HSON
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура:175°C
- Пакетирование:Reel
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:8
- Название бренда:Renesas
- Мощность - Макс:1W (Ta), 59W (Tc)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:8mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2400pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:41nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:Standard
- Категория продукта:MOSFET
- Ширина:5 mm
- Высота:1.45 mm
- Длина:5.4 mm
Со склада 5036
- 1+: $2.11776
- 10+: $1.99788
- 100+: $1.88480
- 500+: $1.77811
- 1000+: $1.67746
Итого $2.11776