Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы 2SK1949L-E
Изображение служит лишь для справки
2SK1949L-E
- Renesas Electronics America Inc
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- -
- 5A, 60V, N-CHANNEL MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 4933
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Mfr:Renesas Electronics America Inc
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:DPAK-3
- Форма упаковки:IN-LINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:2SK1949L-E
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Not Recommended
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:5.12
- Максимальный ток утечки (ID):5 A
- Серия:*
- Код JESD-609:e6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.2 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:20 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 4933
Итого $0.00000