SISF06DN-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SISF06DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.9 (19 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
-
COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
Date Sheet

Lagernummer 16305

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28A (Ta), 101A (Tc)
Основной номер продукта：SISF06
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAK 1212-8SCD
Режим канала：Enhancement
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Полярность транзистора：N Channel
Прямоходящий ток вывода Id：101A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.3 V
Распад мощности：69.4 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 16 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：30 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.5 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：101 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Число контактов：8
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Drain
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.5mOhm @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2050pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：Dual N
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 16305

Итого $0.00000