(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJA66EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJA66EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Date Sheet
Lagernummer 2825
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：68W (Tc)
- Основной номер продукта：SQJA66
- Прямоходящий ток вывода Id：75
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：PowerPAK SO-8L
- Квалификация：AEC-Q101
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.3 V
- Распад мощности：68 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот：64.9 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：75 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：4
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：68
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5400 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：98 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 2825
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
