TQM250NB06DCR RLG

Name: Taiwan Semiconductor Corporation TQM250NB06DCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
Rating: 4.9 (17 reviews)

Taiwan Semiconductor Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerTDFN
60V, 30A, DUAL N-CHANNEL POWER M
Date Sheet

Lagernummer 7443

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount, Wettable Flank
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поставщик упаковки устройства：8-PDFNU (5x6)
Mfr：Taiwan Semiconductor Corporation
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A (Ta), 30A (Tc)
Основной номер продукта：TQM250
Квалификация：AEC-Q101
Полярность транзистора：N Channel
Прямоходящий ток вывода Id：30A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：4 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.8 V
Распад мощности：2.5 W
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.013143 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：27 S
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：TQM250NB06DCR
Производитель：Taiwan Semiconductor
Бренд：Taiwan Semiconductor
Зарядная характеристика ворот：24 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：25 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：14 ns
Id - Непрерывный ток разряда：6 A
Серия：Automotive, AEC-Q101
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：2.5W (Ta), 58W (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：25mOhm @ 6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.8V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1398pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24nC @ 10V
Время подъема：20 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：2 N-Channel
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 7443

Итого $0.00000