Изображение служит лишь для справки
STGB20H65DFB2
- STMicroelectronics
- Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
- TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
- Date Sheet
Lagernummer 332
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
- Поставщик упаковки устройства:D2PAK-3
- Mfr:STMicroelectronics
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):40 A
- Условия испытания:400V, 20A, 10Ohm, 15V
- Основной номер продукта:STGB20
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- РХОС:Details
- Бренд:STMicroelectronics
- Производитель:STMicroelectronics
- Пакетная партия производителя:1000
- Вес единицы:0.048678 oz
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:- 20 V, + 20 V
- Серия:HB2
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:IGBTs
- Распад мощности:147
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:147 W
- Тип продукта:IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 20A
- Прямоходящий ток коллектора:40
- Тип ИGBT:Trench Field Stop
- Зарядная мощность:56 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):60 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:16ns/78.8ns
- Переключаемый энергопотребление:265μJ (on), 214μJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr):215 ns
- Категория продукта:IGBT Transistors
Со склада 332
Итого $0.00000