(0)
Изображение служит лишь для справки
IKFW60N65ES5XKSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IKFW60N65ES5XKSA1
Date Sheet
Lagernummer 227
- 1+： $6.70541
- 10+： $6.32586
- 100+： $5.96779
- 500+： $5.62999
- 1000+： $5.31131
Zwischensummenbetrag $6.70541
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：PG-HSIP247-3-2
- Mfr：Infineon Technologies
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：77 A
- Условия испытания：400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
- Основной номер продукта：IKFW60
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Распад мощности：138 W
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：240
- Монтажные варианты：Through Hole
- Партийные обозначения：IKFW60N65ES5 SP001878206
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Торговое наименование：TRENCHSTOP
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：650 V
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：138
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：138 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.7V @ 15V, 50A
- Прямоходящий ток коллектора：77
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：120 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：200 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：20ns/127ns
- Переключаемый энергопотребление：1.23mJ (on), 550μJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr)：77 ns
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 227
- 1+： $6.70541
- 10+： $6.32586
- 100+： $5.96779
- 500+： $5.62999
- 1000+： $5.31131
Итого $6.70541
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
