Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMPB14R7EPX
Изображение служит лишь для справки
PMPB14R7EPX
- Nexperia USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET P-CH 30V 8A DFN2020M-6
- Date Sheet
Lagernummer 1321
- 1+: $0.41654
- 10+: $0.39296
- 100+: $0.37071
- 500+: $0.34973
- 1000+: $0.32993
Zwischensummenbetrag $0.41654
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-UDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства:DFN2020MD-6
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:8A (Ta)
- Максимальная мощность рассеяния:1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
- Основной номер продукта:PMPB14
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:8A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Время типичного задержки включения:3 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Распад мощности:12.5 W
- Полярность транзистора:P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс:20 S
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:934662031115
- Производитель:Nexperia
- Бренд:Nexperia
- Зарядная характеристика ворот:29 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:18 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:60 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:11.2 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:1.9W
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:18mOhm @ 8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1418 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:44 nC @ 10 V
- Время подъема:7 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 P-Channel Trench MOSFET
- Канальный тип:P Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 1321
- 1+: $0.41654
- 10+: $0.39296
- 100+: $0.37071
- 500+: $0.34973
- 1000+: $0.32993
Итого $0.41654