MSCSM120AM03CT6LIAG

Name: Microchip Technology MSCSM120AM03CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.8 (15 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
Module
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
Date Sheet

Lagernummer 974

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：Module
Поставщик упаковки устройства：SP6C LI
Mfr：Microchip Technology
Пакет：Tube
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：805A (Tc)
Основной номер продукта：MSCSM120
Прямоходящий ток вывода Id：805
Обратное напряжение：1200 V
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1200 V
Время типичного задержки включения：56 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.8 V
Распад мощности：3.215 kW
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 125 C
Усв：- 10 V, + 25 V
Минимальная температура работы：- 40 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology / Atmel
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3.1 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：166 ns
Id - Непрерывный ток разряда：805 A
Серия：-
Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип：Phase Leg
Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
Технология：SiC
Конфигурация：Dual
Распад мощности：3.215
Мощность - Макс：3.215kW (Tc)
Тип ТРВ：2 N Channel (Phase Leg)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.1mOhm @ 400A, 20V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 10mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：30200pF @ 1kV
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2320nC @ 20V
Время подъема：55 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
Продукт：Power MOSFET Modules
Вф - Напряжение прямого тока：1.5 V
Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules

Со склада 974

Итого $0.00000