IPBE65R099CFD7AATMA1

Name: Infineon Technologies IPBE65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (12 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Date Sheet

Lagernummer 470

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-7-3-10
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：24A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：127W (Tc)
Основной номер продукта：IPBE65
Прямоходящий ток вывода Id：24
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Время типичного задержки включения：20 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：127 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：IPBE65R099CFD7A SP002561844
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：53 nC
Торговое наименование：CoolMOS
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：183 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：72 ns
Id - Непрерывный ток разряда：24 A
Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：127
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：99mOhm @ 12.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 630μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2513 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：53 nC @ 10 V
Время подъема：3 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 470

Итого $0.00000