Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NP30N06QDK-E1-AY
Изображение служит лишь для справки
NP30N06QDK-E1-AY
- Renesas Electronics America Inc
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerLDFN
- POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-
- Date Sheet
Lagernummer 5941
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerLDFN
- Поставщик упаковки устройства:8-HSON (5x5.4)
- Mfr:Renesas Electronics America Inc
- Пакет:Tube
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:30A (Tc)
- Основной номер продукта:NP30N06
- Пакетная партия производителя:2500
- Производитель:Renesas Electronics
- Бренд:Renesas Electronics
- РХОС:Details
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура:175°C
- Пакетирование:Tube
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Мощность - Макс:1W (Ta), 59W (Tc)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:14mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2250pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:38nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:Standard
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 5941
Итого $0.00000