TK33S10N1L,LXHQ

Name: Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.6 (19 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 4250

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поставщик упаковки устройства：DPAK+
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：33A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：125W (Tc)
Основной номер продукта：TK33S10
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Время типичного задержки включения：19 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：125 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.012699 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：33 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：9.7 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：55 ns
Id - Непрерывный ток разряда：33 A
Серия：U-MOSVIII-H
Рабочая температура：175°C
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 500μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2250 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：33 nC @ 10 V
Время подъема：8 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 4250

Итого $0.00000