RM100N60T2

Name: Rectron USA RM100N60T2
Brand: Rectron USA
Rating: 4.6 (16 reviews)

Rectron USA
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поставщик упаковки устройства：TO-220-3
Mfr：Rectron USA
Пакет：Tape & Reel (TR)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：170W (Tc)
Производитель：RECTRON
РХОС：Y
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：16.8 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Распад мощности：170 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.068784 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2000
Монтажные варианты：Through Hole
Минимальная прямая транконductанс：50 S
Режим канала：Enhancement
Бренд：Rectron
Зарядная характеристика ворот：85 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：6.5 mOhms
Время задержки отключения типичного：55 ns
Id - Непрерывный ток разряда：100 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Case - TO-220
Капацитивность：Input Capacitance (Ciss) - 4800pF
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Напряжение：Vdss - 60V
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.5mOhm @ 40A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4800 pF @ 30 V
Время подъема：10.8 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000