(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHG068N60EF-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHG068N60EF-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Date Sheet
Lagernummer 487
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-247AC
- Mfr：Vishay Siliconix
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：41A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：250W (Tc)
- Основной номер продукта：SIHG068
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：41A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
- Распад мощности：250 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：500
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay Semiconductors
- Зарядная характеристика ворот：27 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：68 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：41 A
- Серия：EF
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Подкатегория：MOSFETs
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：250W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：68mOhm @ 16A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2628 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：77 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 487
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
