(0)
Изображение служит лишь для справки
NXV65HR82DZ2
-
onsemi
-
Модули драйверов мощности
- 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
- AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Date Sheet
Lagernummer 105
- 1+： $17.04591
- 10+： $16.08105
- 100+： $15.17080
- 500+： $14.31208
- 1000+： $13.50196
Zwischensummenbetrag $17.04591
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
- Mfr：onsemi
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Число элементов на чипе：4
- Формат упаковки：APMCA-A16
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
- Распад мощности：126 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 125 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：12
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：onsemi
- Бренд：onsemi
- Зарядная характеристика ворот：79.7 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：82 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：26 A
- Прямоходящий ток вывода Id：26A
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Пакетирование：Tube
- Тип：MOSFET
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Число контактов：16
- Токовая изоляция：5000Vrms
- Конфигурация：H-Bridge
- Каналов количество：4 Channel
- Напряжение：650 V
- Текущий：26 A
- Распад мощности：126W
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 105
- 1+： $17.04591
- 10+： $16.08105
- 100+： $15.17080
- 500+： $14.31208
- 1000+： $13.50196
Итого $17.04591
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
